RQ1C075UN数据手册ROHM中文资料规格书
RQ1C075UN规格书详情
描述 Description
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
特性 Features
•低电压1.5V驱动型 Nch MOSFET
技术参数
- 制造商编号
：RQ1C075UN
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TSMT8
- 包装数量
：3000
- 最小独立包装数量
：3000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：TSMT8
- Number of terminal
：8
- Polarity
：Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：20
- Drain Current ID[A]
：7.5
- RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)
：0.02
- RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)
：0.017
- RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
：0.014
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：0.011
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.02
- Total gate charge Qg[nC]
：18
- Power Dissipation (PD)[W]
：1.5
- Drive Voltage[V]
：1.5
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：3x2.8 (t=0.85)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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