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RQ1E100XN中文资料4V Drive Nch MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RQ1E100XN

功能描述

4V Drive Nch MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:34:00

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RQ1E100XN规格书详情

描述 Description

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

特性 Features

•4V驱动型 Nch 中功率MOSFET

技术参数

  • 制造商编号

    :RQ1E100XN

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TSMT8

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Package Code

    :TSMT8

  • Applications

    :Switching

  • Number of terminal

    :8

  • Polarity

    :Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :30

  • Drain Current ID[A]

    :10

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

    :0.01

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

    :0.0095

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.0075

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.01

  • Total gate charge Qg[nC]

    :12.7

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :1.5

  • Drive Voltage[V]

    :4

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :3x2.8 (t=0.85)

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