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RQ3E130BN数据手册ROHM中文资料规格书

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厂商型号

RQ3E130BN

功能描述

Nch 30V 13A 中功率MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 20:00:00

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RQ3E130BN规格书详情

描述 Description

RQ3E130BN是大功率封装(HSMT8)的MOSFET。

技术参数

  • 制造商编号

    :RQ3E130BN

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :HSMT8

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Package Code

    :HSMT8 (3.3x3.3)

  • Applications

    :Switching

  • Number of terminal

    :8

  • Polarity

    :Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :30

  • Drain Current ID[A]

    :39

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

    :0.0067

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.0044

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.0067

  • Total gate charge Qg[nC]

    :16

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :16

  • Drive Voltage[V]

    :4.5

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Bare Die Part Number

    :Available: K4014

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :3.3x3.3 (t=0.8)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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