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RQ3E130BN	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 30V 13A 中功率MOSFET RQ3E130BN是大功率封装（HSMT8）的MOSFET。	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3E130BN	文件：2.82833 Mbytes Page：12 Pages	丝印：E130BN；Package：HSMT8；Nch 30V 13A Middle Power MOSFET 文件：2.82833 Mbytes 页数：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RQ3E130MN	文件：622.69 Kbytes Page：11 Pages	Nch 30V 13A Power MOSFET 文件：622.69 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RS3E130AT	文件：2.70057 Mbytes Page：15 Pages	Pch -30V -13A Power MOSFET 文件：2.70057 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
HSMT8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
39
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0067
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0044
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0067
Total gate charge Qg[nC]：
16
Power Dissipation (PD)[W]：
16
Drive Voltage[V]：
4.5
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
3.3x3.3 (t=0.8)

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