RQ3E100AT数据手册ROHM中文资料规格书
RQ3E100AT规格书详情
描述 Description
RQ3E100AT是非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。
特性 Features
• Low on - resistance.
• High Power Small Mold Package (HSMT8).
• Pb-free lead plating; RoHS compliant.
• Halogen Free
技术参数
- 制造商编号
:RQ3E100AT
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:HSMT8
- 包装数量
:3000
- 最小独立包装数量
:3000
- 包装形态
:Taping
- RoHS
:Yes
- Package Code
:HSMT8 (3.3x3.3)
- Number of terminal
:8
- Polarity
:Pch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
:-30
- Drain Current ID[A]
:-31
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
:0.0131
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
:0.009
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
:0.0131
- Total gate charge Qg[nC]
:21
- Power Dissipation (PD)[W]
:17
- Drive Voltage[V]
:-4.5
- Mounting Style
:Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:150
- Package Size [mm]
:3.3x3.3 (t=0.8)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
Rohm(罗姆) |
23+ |
NA |
20094 |
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ROHM |
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QFN8 |
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ROHM/罗姆 |
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DFN3.33.3B-8-EP |
30000 |
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ROHM/罗姆 |
23+ |
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R0HM |
24+ |
DFN3X3 |
21238 |
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询价 | ||
ROHM |
21+ |
HSMT8(3.3x3.3) |
21000 |
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ROHM Semiconductor |
23+ |
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ROHM/罗姆 |
2511 |
DFN3.3x3.3 |
360000 |
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询价 | ||
ROHM |
SMDDIP |
185600 |
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询价 |