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RQ3E100AT

Pch -30V -31A 功率MOSFET

RQ3E100AT是非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。 • Low on - resistance.\n• High Power Small Mold Package (HSMT8).\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant.\n• Halogen Free;

ROHM

罗姆

RQ3E100AT

Pch -30V -31A Power MOSFET

文件:2.59628 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RQ3E100BN

Nch 30V 10A Middle Power MOSFET

文件:2.67777 Mbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

RQ3E100BNTB

Nch 30V 10A Middle Power MOSFET

文件:2.67777 Mbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

RQ3E100GN

Nch 30V 21A Middle Power MOSFET

文件:2.49319 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    HSMT8

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    HSMT8 (3.3x3.3)

  • Number of terminal:

    8

  • Polarity:

    Pch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    -30

  • Drain Current ID[A]:

    -31

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.0131

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.009

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.0131

  • Total gate charge Qg[nC]:

    21

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    17

  • Drive Voltage[V]:

    -4.5

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    3.3x3.3 (t=0.8)

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更多RQ3E100AT供应商 更新时间2025-12-13 15:08:00