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RQ3E100GN	文件：300 bytes Page：1 Pages	4.5V驱动型 Nch MOSFET; • Low on - resistance.\n• High Power Package (HSMT8).\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• Halogen Free; 场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RQ3E100GN	文件：2.49319 Mbytes Page：13 Pages	Nch 30V 21A Middle Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
FA3E100BN	文件：2.67777 Mbytes Page：12 Pages	Nch30V10AMiddlePowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RQ3E100AT	文件：2.59628 Mbytes Page：13 Pages	Pch-30V-31APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RQ3E100BN	文件：2.67777 Mbytes Page：12 Pages	Nch30V10AMiddlePowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RQ3E100MN	文件：612.58 Kbytes Page：11 Pages	Nch30V10APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

封装：
HSMT8
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
21
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.012
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0089
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.012
Total gate charge Qg[nC]：
3.9
Power Dissipation (PD)[W]：
15
Drive Voltage[V]：
4.5
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
3.3x3.3 (t=0.8)

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更多RQ3E100GN供应商更新时间2025-7-30 14:00:00

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