RQ3E150BN数据手册ROHM中文资料规格书
RQ3E150BN规格书详情
描述 Description
RQ3E150BN是大功率封装（HSMT8）的中功率MOSFET。
特性 Features
• Low on - resistance.
• High Power Package (HSMT8).
• Pb-free lead plating; RoHS compliant.
• Halogen Free
应用 Application
·监控摄像机（IP网络）
技术参数
- 制造商编号
：RQ3E150BN
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：HSMT8
- 包装数量
：3000
- 最小独立包装数量
：3000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：HSMT8 (3.3x3.3)
- Applications
：Switching
- Number of terminal
：8
- Polarity
：Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：30
- Drain Current ID[A]
：39
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：0.0053
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
：0.0038
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.0053
- Total gate charge Qg[nC]
：23
- Power Dissipation (PD)[W]
：17
- Drive Voltage[V]
：4.5
- Mounting Style
：Surface mount
- Bare Die Part Number
：Available: K4013
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：3.3x3.3 (t=0.8)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
R0HM |
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