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RN6006	文件：94.49 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Motor Drive Circuit Applications Power Amplifier Applications Power Switching Applications ● With built-in bias resistors ● Simplify circuit design ● Reduce a quantity of parts and manufacturing process ● Small flat package ● PC = 1~2W (mounted on ceramic substrate) ● Complementary to RN50 文件：94.49 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN6006	文件：300 bytes Page：1 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)	Toshiba 东芝	Toshiba
S6006L	文件：1.60012 Mbytes Page：12 Pages	SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip 文件：1.60012 Mbytes 页数：12 Pages	TECCOR	TECCOR
STTA6006P	文件：82.14 Kbytes Page：9 Pages	TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE DESCRIPTION The TURBOSWITCH is a very high performance series of ultra-fast high voltage power diodes from 600V to 1200V. TURBOSWITCH family, drastically cuts losses in both the diode and the associated switching IGBT or MOSFET in all ”freewheel mode” operations and is particularly suitable and 文件：82.14 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STTA6006PI	文件：82.14 Kbytes Page：9 Pages	TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE DESCRIPTION The TURBOSWITCH is a very high performance series of ultra-fast high voltage power diodes from 600V to 1200V. TURBOSWITCH family, drastically cuts losses in both the diode and the associated switching IGBT or MOSFET in all ”freewheel mode” operations and is particularly suitable and 文件：82.14 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
RN6006
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R+Di
性质：
DAMPER_DI
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
140MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
30
htest：
140000000
atest：
2
wtest：
0

详细参数

型号：
RN6006
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)

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