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RT1P434M	文件：64.28 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
MMDT1P434	文件：126.37 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
RT1P434C	文件：64.28 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconPNPEpitaxialType DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1P434S	文件：64.28 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconPNPEpitaxialType DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1P434U	文件：64.28 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconPNPEpitaxialType DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1P434X	文件：64.28 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconPNPEpitaxialType DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA

详细参数

型号：
RT1P434M
制造商：
ISAHAYA
制造商全称：
Isahaya Electronics Corporation
功能描述：
Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type

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