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RT1N434S	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
1N434	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicondiode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
1N434A	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicondiode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
MMDT1N434	文件：126.37 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
RT1N434C	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N434M	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N434U	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N434X	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA

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