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RT1N241S	文件：413.45 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT1N241Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P241X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=22kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N241C	文件：413.45 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N241Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P241X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=22kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N241M	文件：413.45 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N241Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P241X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=22kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N241U	文件：413.45 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N241Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P241X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=22kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N241X	文件：413.45 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N241Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P241X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=22kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA

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