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TP6001-TR	文件：944.57 Kbytes Page：17 Pages	1MHz,80關A,RRIO,OpAmps	3PEAK3PEAK INC. 思瑞浦思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司	3PEAK
TP6001U	文件：944.57 Kbytes Page：17 Pages	1MHz,80關A,RRIO,OpAmps	3PEAK3PEAK INC. 思瑞浦思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司	3PEAK
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TPC6001	文件：200.65 Kbytes Page：7 Pages	NotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC6001	文件：480.82 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPQ6001	文件：320.84 Kbytes Page：5 Pages	SERIESTPQQUADTRANSISTORARRAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TS6001	文件：1.30895 Mbytes Page：13 Pages	ImprovedElectricalPerformance	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
TS6001A	文件：849.89 Kbytes Page：12 Pages	A7ppm/oC,0.08o/oPrecision2.5VVoltageReferenceinSOT23	TOUCHSTONE Touchstone Technologies，Inc	TOUCHSTONE
TS6001B	文件：849.89 Kbytes Page：12 Pages	A7ppm/oC,0.08o/oPrecision2.5VVoltageReferenceinSOT23	TOUCHSTONE Touchstone Technologies，Inc	TOUCHSTONE

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晶体管资料

型号：
RN6001
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
120W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
30
htest：
999900
atest：
2
wtest：
120

详细参数

型号：
RN6001
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)

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