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RT1N434M	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT1N434X is a one chip transistor with built-in bias resistor,PNP type is RT1P434X. FEATURE ◾ Built-in bias resistor (R1=4.7kΩ ,R2=22kΩ ). APPLICATION Inverted circuit,switching circuit,interface circuit, driver circuit. 文件：329.42 Kbytes 页数：3 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
RT1N434M	文件：300 bytes Page：1 Pages	带阻晶体管（PNP、NPN）	IDC	IDC
RT1N434S	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT1N434X is a one chip transistor with built-in bias resistor,PNP type is RT1P434X. FEATURE ◾ Built-in bias resistor (R1=4.7kΩ ,R2=22kΩ ). APPLICATION Inverted circuit,switching circuit,interface circuit, driver circuit. 文件：329.42 Kbytes 页数：3 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
RT1N434U	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT1N434X is a one chip transistor with built-in bias resistor,PNP type is RT1P434X. FEATURE ◾ Built-in bias resistor (R1=4.7kΩ ,R2=22kΩ ). APPLICATION Inverted circuit,switching circuit,interface circuit, driver circuit. 文件：329.42 Kbytes 页数：3 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
RT1N434X	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT1N434X is a one chip transistor with built-in bias resistor,PNP type is RT1P434X. FEATURE ◾ Built-in bias resistor (R1=4.7kΩ ,R2=22kΩ ). APPLICATION Inverted circuit,switching circuit,interface circuit, driver circuit. 文件：329.42 Kbytes 页数：3 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA

晶体管资料

型号：
RT1N434M
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.3

技术参数

Package：
SC-70
Packaging Quantity：
3000
Minimum Packaging Quantity：
3000
Packaging Type：
Taping
ROHS：
Yes
Spice parameter：
RT1N434.lib

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