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RT1N434M	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
1N434	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicondiode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
1N434A	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicondiode SILICONDIODE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
MMDT1N434	文件：126.37 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
RT1N434C	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N434S	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N434U	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N434X	文件：329.42 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA

晶体管资料

型号：
RT1N434M
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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