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RN6001	文件：90.9 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Motor Drive Circuit Applications Power Amplifier Applications Power Switching Applications • With built-in bias resistors • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • Small flat package • PC = 1~2W (mounted on ceramic substrate) • Complementary to RN50 文件：90.9 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN6001	文件：300 bytes Page：1 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)	Toshiba 东芝	Toshiba
RX6001	文件：89.95 Kbytes Page：10 Pages	868.35 MHz Hybrid Receiver 文件：89.95 Kbytes 页数：10 Pages	RFM	RFM
S6001L	文件：1.60012 Mbytes Page：12 Pages	SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip 文件：1.60012 Mbytes 页数：12 Pages	TECCOR	TECCOR
SBT-BGA-6001	文件：371.44 Kbytes Page：5 Pages	Low and stable contact resistance for reliable production yield 文件：371.44 Kbytes 页数：5 Pages	IRONWOOD	IRONWOOD

晶体管资料

型号：
RN6001
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
120W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
30
htest：
999900
atest：
2
wtest：
120

详细参数

型号：
RN6001
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)

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更多RN6001供应商更新时间2026-1-17 14:02:00

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