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RT1P434C	文件：64.28 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
MMDT1P434	文件：126.37 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
RT1P434M	文件：64.28 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconPNPEpitaxialType DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1P434S	文件：64.28 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconPNPEpitaxialType DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1P434U	文件：64.28 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconPNPEpitaxialType DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1P434X	文件：64.28 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconPNPEpitaxialType DESCRIPTION RT1P434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N434X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA

晶体管资料

型号：
RT1P434C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.3

详细参数

型号：
RT1P434C
制造商：
ISAHAYA
制造商全称：
Isahaya Electronics Corporation
功能描述：
Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type

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