RN2711(TE85L,F)说明书PDF资料原装现货第4页-114ic电子网

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TLV2711CDBVT	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	MICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2711IDBV	文件：551.51 Kbytes Page：28 Pages	AdvancedLinCMOSERAIL-TO-RAILMICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2711IDBV	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	MICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2711IDBVR	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	MICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2711IDBVT	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	MICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2711Y	文件：813.71 Kbytes Page：32 Pages	AdvancedLinCMOSRAIL-TO-RAILMICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2711Y	文件：551.51 Kbytes Page：28 Pages	AdvancedLinCMOSERAIL-TO-RAILMICROPOWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UPA2711GR	文件：309.8 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2711GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=9mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−6.5A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2711GR	文件：149.55 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2711T	文件：185.93 Kbytes Page：12 Pages	2.9GHzWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheUPC2708TandUPC2711TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,and	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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深圳市亚泰盈科电子有限公司	RN2711(TE85L,F)	Toshiba	2025+	SOT-353-5	12420		询价
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更多RN2711(TE85L,F)供应商更新时间2025-6-26 18:51:00

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