RN2112中文资料PDF规格书
厂商型号 |
RN2112 |
参数属性 | RN2112 封装/外壳为SC-75,SOT-416;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=22K, |
功能描述 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
文件大小 |
185.12 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
中文名称 | 株式会社東芝官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-28 22:30:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
RN2112三极管、RN2112晶体管、RN2112晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-P+R
- 性质:
表面帖装型 (SMD)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
50V
- 最大电流允许值:
0.1A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
DTA124TE,
- 最大耗散功率:
0.4W
- 放大倍数:
- 图片代号:
H-15
- vtest:
50
- htest:
999900
- atest:
.1
- wtest:
.4
产品属性
- 产品编号:
RN2112,LXHF(CT
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 1mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 250µA,5mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-75,SOT-416
- 供应商器件封装:
SSM
- 描述:
AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=22K,
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
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SOT |
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