RN2109ACT分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

厂商型号 |
RN2109ACT |
参数属性 | RN2109ACT 封装/外壳为SC-101,SOT-883;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 |
功能描述 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
封装外壳 | SC-101,SOT-883 |
文件大小 |
150.69 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
中文名称 | 株式会社东芝官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-3 23:00:00 |
人工找货 | RN2109ACT价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
RN2109ACT规格书详情
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
• Extra small package (CST3) is applicable for extra high density
fabrication.
• Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
• Reducing the parts count enable the manufacture of ever more
compact equipment and save assembly cost.
• Complementary to RN1107ACT to RN1109ACT
产品属性
- 产品编号:
RN2109ACT(TPL3)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 10mA,5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
150mV @ 250µA,5mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-101,SOT-883
- 供应商器件封装:
CST3
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
7228 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT423 |
80000 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
05+ |
423 |
3978 |
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UDE |
1736+ |
RJ45 |
15238 |
原厂优势渠道 |
询价 | ||
TOS |
2017+ |
NA |
28562 |
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TOSHIBA |
23+ |
SOT23 |
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SOT-523 |
23+ |
NA |
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TOSHIBA |
23+ |
SOT723 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
CST3 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+/25+ |
16000 |
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询价 |