RN2107分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RN2107 |
| 参数属性 | RN2107 封装/外壳为SC-75，SOT-416；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K, |
| 功能描述 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| 封装外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 文件大小 |
177.71 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-25 17:54:00 |
| 人工找货 | RN2107价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN2107规格书详情
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
● With built-in bias resistors
● Simplify circuit design
● Reduce a quantity of parts and manufacturing process
● Complementary to RN1107~RN1109
产品属性
- 产品编号：
RN2107,LXHF(CT
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-75，SOT-416
- 供应商器件封装：
SSM
- 描述：
AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=10K,
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
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