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RN2102MFV分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

RN2102MFV
厂商型号

RN2102MFV

参数属性

RN2102MFV 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=

功能描述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

封装外壳

SOT-723

文件大小

206.92 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-4 11:36:00

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RN2102MFV规格书详情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

Ultra-small package, suited to very high density mounting

Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering assembly cost.

A wide range of resistor values is available for use in various circuits.

Complementary to the RN1101MFV to RN1106MFV

产品属性

  • 产品编号:

    RN2102MFV,L3XHF(CT

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,5mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    VESM

  • 描述:

    AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
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