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RN2112	文件：185.12 Kbytes Page：5 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：185.12 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2112	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT) Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN1112\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN2112FT	文件：84.49 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. • High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture 文件：84.49 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2112ACT	文件：159.57 Kbytes Page：6 Pages	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications 文件：159.57 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2112CT	文件：141.28 Kbytes Page：6 Pages	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications 文件：141.28 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2112MFV	文件：297.36 Kbytes Page：6 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：297.36 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2112CT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT) Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN1112CT\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current IC -0.05 A \nCollector-emitter voltage VCEO -20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN2112MFV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias resistor built-in transistor (BRT) Application Scope：General-purpose\nPolarity：PNP\nInternal Connection：Single\nComplementary Product：RN1112MFV\nAEC-Q101：Conform(*)\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Collector Current IC -0.1 A \nCollector-emitter voltage VCEO -50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
RN2112,LXHF(CT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-75，SOT-416；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=22K,	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RN2112ACT(TPL3)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-101，SOT-883；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

Package name：
SOT-416 (SSM)
Width×Length×Height(mm)：
1.6 x 1.6 x 0.7
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Polarity：
PNP
Internal Connection：
Single
Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)：
22
Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)：
Infinity
Q1VCEO (Max)(V)：
-50
Q1IC (Max)(A)：
-0.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	RN2112	TOSHIBA	24+	SOT-523	200000		询价
深圳市鹏和科技有限公司	RN2112	TOSHIBA	24+	SOT-523SC-75SSM	5000	只做原装公司现货	询价
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深圳市联世界科技有限公司	RN2112MFV(TPL3)	TOSHIBA	24+/25+		8000	原装正品现货库存价优	询价
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更多RN2112供应商更新时间2025-10-6 15:30:00

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