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RN2112FT	文件：84.49 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. • High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture 文件：84.49 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN2112MFV	文件：297.36 Kbytes Page：6 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：297.36 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RO2112	文件：256.079 Kbytes Page：2 Pages	433.42 MHz SAW Resonator 文件：256.079 Kbytes 页数：2 Pages	rfm	rfm
RO2112A	文件：100.57 Kbytes Page：2 Pages	433.42 MHz SAW Resonator 文件：100.57 Kbytes 页数：2 Pages	rfm	rfm

型号：
RN2112FT
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type(PCT process)(Bias Resistor built-in Transistor)

更多RN2112FT供应商更新时间2021-9-14 10:50:00