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RN2118	文件：275.82 Kbytes Page：8 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2118MFV	文件：207.16 Kbytes Page：8 Pages	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2118(T5L,F,T)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-75，SOT-416；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RN2118MFV(TPL3)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RO2118A	文件：169.68 Kbytes Page：2 Pages	318.0MHzSAWResonator	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
SPA-2118	文件：215.1 Kbytes Page：6 Pages	850MHz1WattPowerAmplifierwithActiveBias ProductDescription SirenzaMicrodevices’SPA-2118isahighefficiencyGaAs HeterojunctionBipolarTransistor(HBT)amplifierhousedinalow-costsurface-mountableplasticpackage.TheseHBTamplifiersarefabricatedusingmolecularbeamepitaxialgrowthtechnologywhichproducesreliableand	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SPA-2118	文件：214.07 Kbytes Page：6 Pages	850MHz1WattPowerAmplifierwithActiveBias	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SPA2118Z	文件：534.42 Kbytes Page：7 Pages	850MHz1WATTPOWERAMPLIFIERWITHACTIVEBIAS	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
SPA2118ZSQ	文件：534.42 Kbytes Page：7 Pages	850MHz1WATTPOWERAMPLIFIERWITHACTIVEBIAS	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
SPA2118ZSR	文件：534.42 Kbytes Page：7 Pages	850MHz1WATTPOWERAMPLIFIERWITHACTIVEBIAS	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD

详细参数

型号：
RN2118
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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