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RN2118MFV数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

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厂商型号

RN2118MFV

参数属性

RN2118MFV 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

功能描述

Bias resistor built-in transistor (BRT)

封装外壳

SOT-723

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-15 20:00:00

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RN2118MFV规格书详情

描述 Description

Application Scope:General-purpose
Polarity:PNP
Internal Connection:Single
Complementary Product:RN1118MFV
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Collector Current IC -0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO -50 V

技术参数

  • 制造商编号

    :RN2118MFV

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Product Category

    :Bias resistor built-in transistor (BRT)

  • Package name(Toshiba)

    :SOT-723 (VESM)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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