RN2118中文资料Bias resistor built-in transistor (BRT)数据手册Toshiba规格书
| 厂商型号 |
RN2118 |
| 参数属性 | RN2118 封装/外壳为SOT-723；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM |
| 功能描述 | Bias resistor built-in transistor (BRT) |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-29 22:59:00 |
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RN2118规格书详情
描述 Description
Application Scope：General-purpose
Polarity：PNP
Internal Connection：Single
Complementary Product：RN1118
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
特性 Features
Collector Current IC -0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO -50 V
技术参数
- 产品编号：
RN2118MFV(TPL3)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 10mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-723
- 供应商器件封装：
VESM
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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