RN2112ACT数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF
| 厂商型号 |
RN2112ACT |
| 参数属性 | RN2112ACT 封装/外壳为SC-101，SOT-883；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3 |
| 功能描述 | Bias resistor built-in transistor (BRT) |
| 封装外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-15 18:35:00 |
| 人工找货 | RN2112ACT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN2112ACT规格书详情
描述 Description
Application Scope：General-purpose
Polarity：PNP
Internal Connection：Single
Complementary Product：RN1112ACT
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
特性 Features
Collector Current IC -0.08 A
Collector-emitter voltage VCEO -50 V
技术参数
- 产品编号：
RN2112ACT(TPL3)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
150mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-101，SOT-883
- 供应商器件封装：
CST3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
1025+ |
SOT |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2450+ |
VESM3 |
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Bychip/百域芯 |
21+ |
SOT-523 |
30000 |
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SOT-423 |
23+ |
NA |
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TOSHIBA |
24+/25+ |
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TOS |
24+ |
SOT |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT883 |
11200 |
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TOSHIBA/东芝 |
2406+ |
11260 |
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TOSHIBA |
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SOT723 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT523 |
81000 |
询价 |
