RN2106MFV数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

厂商型号 |
RN2106MFV |
参数属性 | RN2106MFV 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, Q1BER |
功能描述 | Bias resistor built-in transistor (BRT) |
封装外壳 | SOT-723 |
制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-15 20:00:00 |
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RN2106MFV规格书详情
描述 Description
Application Scope:General-purpose
Polarity:PNP
Internal Connection:Single
Complementary Product:RN1106MFV
AEC-Q101:Conform(*)
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国
特性 Features
Collector Current IC -0.1 A
Collector-emitter voltage VCEO -50 V
技术参数
- 制造商编号
:RN2106MFV
- 生产厂家
:Toshiba
- Package name
:SOT-723 (VESM)
- Width×Length×Height(mm)
:1.2 x 1.2 x 0.5
- Number of pins
:3
- Surface mount package
:Y
- Polarity
:PNP
- Internal Connection
:Single
- Q1Base Series Resistance (Typ.)(kΩ)
:4.7
- Q1Base-Emitter Resistance (Typ.)(kΩ)
:47
- Q1VCEO (Max)(V)
:-50
- Q1IC (Max)(A)
:-0.1
- AEC-Q101
:Qualified(*)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
5350 |
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TOSHIBA |
07+ |
SOT723 |
8000 |
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TOS |
1844+ |
NA |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
NA |
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21+ |
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SOT-523 |
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NA |
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TOSHIBA |
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SOT-523 |
26800 |
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- |
23+ |
QFN |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 |