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RN2113MFV	文件：297.36 Kbytes Page：6 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2113MFV,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-723；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RO2113	文件：258.44 Kbytes Page：2 Pages	314.5MHzSAWResonator	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
RO2113A	文件：98.77 Kbytes Page：2 Pages	314.5MHzSAWResonator	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
RSZ-2113	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-2113HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
S2113	文件：638.76 Kbytes Page：5 Pages	CMOSPositiveVoltageRegulator	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
Si2113	文件：65.88 Kbytes Page：2 Pages	DigitalTVReceiverforDVB-T/C	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SM2113	文件：634.62 Kbytes Page：5 Pages	VoltageRegulator	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMV2113	文件：35.68 Kbytes Page：1 Pages	PLASTICSURFACEMOUNTGENERALPURPOSEABRUPTVARACTORDIODES PLASTICSURFACEMOUNTGENERALPURPOSEABRUPTVARACTORDIODES DCPowerDissipation@Ta=25°C250mW ReverseBreakdownVoltage@10µA30VMin MaxReverseCurrent(IR)@Ta=25°C0.1µA@25Vdc OperatingTemperature(Topr)-55to+125°C StorageT	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX

详细参数

型号：
RN2113MFV
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 -100mA -50volts 47Kohms
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RN2113MFV供应商更新时间2025-5-1 10:20:00

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