RN2109MFV分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RN2109MFV |
| 参数属性 | RN2109MFV 封装/外壳为SOT-723；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM |
| 功能描述 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications |
| 封装外壳 | SOT-723 |
| 文件大小 |
200.7 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-5 17:01:00 |
| 人工找货 | RN2109MFV价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN2109MFV规格书详情
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
● Ultra-small package, suited to very high density mounting
● Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts, so
enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering
assembly cost.
● A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
● Complementary to the RN1107MFV~RN1109MFV
● Lead (Pb) - free
产品属性
- 产品编号：
RN2109MFV,L3F
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 10mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-723
- 供应商器件封装：
VESM
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Bychip/百域芯 |
21+ |
SOT-523 |
30000 |
优势供应 品质保障 可开13点发票 |
询价 | ||
SOT-723 |
23+ |
NA |
15659 |
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询价 | ||
UDE |
1736+ |
RJ45 |
15238 |
原厂优势渠道 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
16000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-723 |
12200 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
Toshiba |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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询价 | ||
TOS |
1844+ |
NA |
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TOSHIBA |
24+/25+ |
16000 |
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TOSHIBA |
07+ |
SOT723 |
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