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RM20N60LDV	文件：482.66 Kbytes Page：7 Pages	丝印：20N60；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON) 文件：482.66 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM20N60LDV	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
RMD20N60DF	文件：1.10606 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON) 文件：1.10606 Mbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RMD20N60DFV	文件：288.37 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON) 文件：288.37 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
SD20N60	文件：1.1053 Mbytes Page：17 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.1053 Mbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Id @ 25C (A)：
20 A
Rds-on (typ) (mOhms)：
35 mOhms
Total Gate Charge (nQ) typ：
47 nQ
Maximum Power Dissipation (W)：
45 W
Vgs(th) (typ)：
1.6 V
Input Capacitance (Ciss)：
500 pF
Polarity：
N-Channel
Mounting Style：
SMD/SMT
Package / Case：
TO-252(D-PAK)
Certified (AEC-Q101...etc)：
AEC-Q101

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更多RM20N60LDV供应商更新时间2025-10-8 10:05:00

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