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RMD20N60DF

丝印:D20N60;Package:DFN5X6-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

文件:1.10606 Mbytes 页数:7 Pages

RECTRON

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RMD20N60DFV

丝印:D20N60;Package:DFN5X6-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

文件:288.37 Kbytes 页数:7 Pages

RECTRON

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RMD20N60DF

MOSFET

Rectron

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RMD20N60DFV

MOSFET

Rectron

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技术参数

  • Id @ 25C (A):

    20 A

  • Rds-on (typ) (mOhms):

    27 mOhms

  • Total Gate Charge (nQ) typ:

    47 nQ

  • Maximum Power Dissipation (W):

    45 W

  • Vgs(th) (typ):

    1.6 V

  • Input Capacitance (Ciss):

    500 pF

  • Polarity:

    N-Channel

  • Mounting Style:

    SMD/SMT

  • Package / Case:

    DFN5X6-8L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RMD20N60DF供应商 更新时间2025-12-5 9:50:00