RM20N60LDV中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

厂商型号	RM20N60LDV
功能描述	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
丝印标识	20N60
封装外壳	TO-252-2L
文件大小	482.66 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	RECTRON
中文名称	丽正国际
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更新时间	2025-12-1 18:21:00
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General Features

VDS =60V,ID =20A

RDS(ON) <35mΩ @ VGS=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high EAS

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

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