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RJP63F3DPP-M0	文件：186.2 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features •Trenchgateandthinwafertechnology(G6Hseries) •LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.7Vtyp •Highspeedswitchingtf=100nstyp •LowleakcurrentICES=1μAmax •IsolatedpackageTO-220FL	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
RJP63F
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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