RJP63F3中文资料Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching数据手册Renesas规格书
RJP63F3规格书详情
特性 Features
• Trench gate and thin wafer technology (G6H series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ
• High speed switching tf = 100 ns typ
• Low leak current ICES = 1 μA max
• Isolated package TO-220FL
技术参数
- 型号：
RJP63F3
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
3940 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-220 |
54658 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
RENESAS |
1301+ |
TO-220F |
4 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO220F |
8215 |
原厂原装 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
13+ |
TO220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO220F |
6300 |
只做原装,假一罚百,长期供货。 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
TO-220F |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
RENESAS |
PBFREE |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
RENESAS |
18+ |
TO-220F |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 |
