RJP63F3中文资料Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching数据手册Renesas规格书
RJP63F3规格书详情
特性 Features
• Trench gate and thin wafer technology (G6H series)
• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ
• High speed switching tf = 100 ns typ
• Low leak current ICES = 1 μA max
• Isolated package TO-220FL
技术参数
- 型号：
RJP63F3
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
10048 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
3940 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-220 |
54658 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
13+ |
TO220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS |
18+ |
TO-220F |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220F |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-220F |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO220F |
8215 |
原厂原装 |
询价 |
