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RJK6002DJE	文件：69.33 Kbytes Page：4 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：69.33 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DJE-00Z0	文件：69.33 Kbytes Page：4 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：69.33 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPD	文件：74.61 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching 文件：74.61 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPD	文件：276.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：276.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJK6002DPD-00-J2	文件：74.61 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching 文件：74.61 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPE	文件：327.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：327.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJK6002DPE	文件：82.89 Kbytes Page：7 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low drive current • High density mounting 文件：82.89 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPE-00J3	文件：82.89 Kbytes Page：7 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low drive current • High density mounting 文件：82.89 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPH	文件：286.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：286.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJK6002DPH-E0	文件：99.74 Kbytes Page：7 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：99.74 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
MP-3A/TO-252
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
600
ID (A)：
2
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
6800
Ciss (pF) 典型值：
165
Vgs (off) (V) 最大值：
4.5
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
30
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only
QG (nC) 典型值：
6.2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	RJK6002DPD	RENESAS	23+	TO252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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