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RJK6002DJE	文件：69.33 Kbytes Page：4 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：69.33 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DJE-00Z0	文件：69.33 Kbytes Page：4 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：69.33 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPD	文件：74.61 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching 文件：74.61 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPD	文件：276.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：276.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJK6002DPD-00-J2	文件：74.61 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching 文件：74.61 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPE	文件：327.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：327.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJK6002DPE	文件：82.89 Kbytes Page：7 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low drive current • High density mounting 文件：82.89 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPE-00J3	文件：82.89 Kbytes Page：7 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low drive current • High density mounting 文件：82.89 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPH	文件：286.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：286.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJK6002DPH-E0	文件：99.74 Kbytes Page：7 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：99.74 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
RJK6002
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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