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RJK6002DPE-00J3	文件：82.89 Kbytes Page：7 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low drive current • High density mounting 文件：82.89 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJK6002DPE-00J3供应商更新时间2025-10-12 14:02:00