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RJK6002DPH	文件：286.95 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：286.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJK6002DPH-E0	文件：99.74 Kbytes Page：7 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：99.74 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPH-E0T2	文件：99.74 Kbytes Page：7 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 5.7 Ω typ. (at ID = 1 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching 文件：99.74 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPH-E0_15	文件：99.74 Kbytes Page：7 Pages	600V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：99.74 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6002DPH-E0	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

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更多RJK6002DPH供应商更新时间2025-12-15 14:02:00