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RJK03C2DPB	文件：269.4 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 1.9 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free 文件：269.4 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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MTDA03C2	文件：114.01 Kbytes Page：1 Pages	HOUSING WITH IDC CONTACT .100 & .156 CENTERLINE 文件：114.01 Kbytes 页数：1 Pages	ADAM-TECH 亚当科技	ADAM-TECH
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型号：
RJK03C2DPB
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

更多RJK03C2DPB供应商更新时间2026-2-2 11:22:00