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RJK03C2DPB-00-J5	文件：269.4 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=1.9mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJK03C2DPB-00-J5

文件：269.4 Kbytes

Page：7 Pages

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=1.9mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
RJK03C2DPB-00-J5
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RJK03C2DPB-00-J5供应商更新时间2025-5-9 14:01:00

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