RJK03C2DPB-00-J5资料使用说明书供应商报价-114ic电子网

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
RJK03C2DPB-00-J5	文件：269.4 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 1.9 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free 文件：269.4 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK0651DPB-00#J5	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOT669	RENESAS 瑞萨上传：深圳市中利达电子科技有限公司	RENESAS
RJK0651DPB-00-J5	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS LFPAK	RENESAS 瑞萨上传：深圳市中利达电子科技有限公司	RENESAS
RJK0651DPB-00-J5	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS LFPAK	RENESAS 瑞萨上传：深圳市中利达电子科技有限公司	RENESAS
RJMG212K21225CR	文件：0 bytes Page：0 Pages	AMPHENOL RJ	AMPHENOL 安费诺上传：深圳市中利达电子科技有限公司	AMPHENOL

型号：
RJK03C2DPB-00-J5
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

更多RJK03C2DPB-00-J5供应商更新时间2025-10-4 14:02:00