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RJK03L2DNS	文件：127.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=4.2mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK03L2DNS-00-J5	文件：127.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=4.2mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BCC03L2	文件：94.53 Kbytes Page：2 Pages	Double-EndedCordsets BCCM314-M414-3E-304-VX8434-006 Basicfeatures Approval/ConformityCE cULus WEEE	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫集团	Balluff
MA03L2NCGD	文件：408.56 Kbytes Page：6 Pages	Half-inchRotarySwitches	ITT ITT Industries	ITT
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详细参数

型号：
RJK03L2DNS
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

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