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RJK03L2DNS	文件：127.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 4.2 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free 文件：127.11 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK03L2DNS-00-J5	文件：127.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 4.2 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free 文件：127.11 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK03L2DNS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode	Renesas 瑞萨	Renesas
BCC03L2	文件：94.53 Kbytes Page：2 Pages	Double-Ended Cordsets BCC M314-M414-3E-304-VX8434-006 Basic features Approval/Conformity CE cULus WEEE 文件：94.53 Kbytes 页数：2 Pages	Balluff 巴鲁夫	Balluff
MA03L2NCGD	文件：408.56 Kbytes Page：6 Pages	Half-inch Rotary Switches 文件：408.56 Kbytes 页数：6 Pages	ITT	ITT
MA03L2NCGF	文件：408.56 Kbytes Page：6 Pages	Half-inch Rotary Switches 文件：408.56 Kbytes 页数：6 Pages	ITT	ITT

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