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RJK03L3DNS-00-J5

文件：130.15 Kbytes

Page：7 Pages

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=5.3mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
RJK03L3DNS-00-J5
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

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