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RJK0632JPD	文件：277.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 35mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：277.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJK0632JPD	文件：896.96 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：896.96 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RJK0632JPD	文件：1.5842 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.5842 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RJK0632JPD	文件：124.59 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：124.59 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK0632JPD_15	文件：102.7 Kbytes Page：7 Pages	60 V, 20 A Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：102.7 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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RJK0632JPD	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 20 A Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	Renesas 瑞萨	Renesas

详细参数

型号：
RJK0632JPD
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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