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RJK1206JPD

120 V - 30 A - N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

文件:96.07 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK1206JPD

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:1.01526 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

RJK1206JPD_15

120 V - 30 A - N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

RJK1206JPD-00-J3

120 V - 30 A - N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

RJK1206JPD

120 V - 30 A - N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

Renesas

瑞萨

详细参数

  • 型号:

    RJK1206JPD

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    120 V - 30 A - N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
25+
TO-252
20300
RENESAS/瑞萨原装特价RJK1206JPD即刻询购立享优惠#长期有货
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DPAK
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TO-252-2
60000
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更多RJK1206JPD供应商 更新时间2026-2-5 14:14:00