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RJK1529DPK	文件：371.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 25mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：371.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJK1529DPK	文件：81.26 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.26 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK1529DPK	文件：92.84 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：92.84 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK1529DPK_10	文件：92.84 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：92.84 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK1529DPK_15	文件：92.84 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：92.84 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK1529DPK-E	文件：81.26 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.26 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK1529DPK-E	文件：92.84 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：92.84 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK1529DPK	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-3P
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
150
ID (A)：
70
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
25
Ciss (pF) 典型值：
2900
Vgs (off) (V) 最大值：
4.5
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
150
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
QG (nC) 典型值：
74

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