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RJK03L2DNS-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 4.2 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free

文件:127.11 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK0651DPB-00#J5

RENESAS
SOT669

RJK0651DPB-00-J5

RENESAS
LFPAK

RJK0651DPB-00-J5

RENESAS
LFPAK

RJMG212K21225CR

AMPHENOL
RJ

详细参数

  • 型号:

    RJK03L2DNS-00-J5

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

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