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RJK03L2DNS-00-J5	文件：127.11 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=4.2mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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RJK03L2DNS-00-J5

文件：127.11 Kbytes

Page：7 Pages

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=4.2mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
RJK03L2DNS-00-J5
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

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