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厂商型号

RJK03C2DPB

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

文件大小

269.4 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 15:51:00

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RJK03C2DPB规格书详情

特性 Features

• High speed switching

• Capable of 4.5 V gate drive

• Low drive current

• High density mounting

• Low on-resistance

RDS(on) = 1.9 mΩ typ. (at VGS = 10 V)

• Pb-free

• Halogen-free

产品属性

  • 型号:

    RJK03C2DPB

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
23+
SON
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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RENESAS
2025+
WPAK
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
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QFN
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RENESAS/瑞萨
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QFN
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原装正品,支持实单
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RENESAS
23+
SON
30000
代理全新原装现货,价格优势
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RENESAS
24+
SON
16900
原装正品现货支持实单
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RENESAS/瑞萨
10+
QFN
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原装现货
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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