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RJK03C1DPB-00-J5中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

RJK03C1DPB-00-J5
厂商型号

RJK03C1DPB-00-J5

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

文件大小

268.92 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-23 23:01:00

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RJK03C1DPB-00-J5规格书详情

Features

• High speed switching

• Capable of 4.5 V gate drive

• Low drive current

• High density mounting

• Low on-resistance

RDS(on) = 1.7 mΩ typ. (at VGS = 10 V)

• Pb-free

• Halogen-free

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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