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RJK03C1DPB-00-J5	文件：268.92 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 1.7 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free 文件：268.92 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多RJK03C1DPB-00-J5供应商更新时间2025-10-5 15:01:00