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RJK0204DPA-00-J53

文件：85.84 Kbytes

Page：7 Pages

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistanceRDS(on)=2.2mΩtyp.(atVGS=10V) •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
RJK0204DPA-00-J53
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

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更多RJK0204DPA-00-J53供应商更新时间2024-5-20 17:12:00

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